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Microsemi Corporation - JANTX1N4150-1

KEY Part #: K6428015

JANTX1N4150-1 Preise (USD) [68425Stück Lager]

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  • 1,000 pcs$0.76826
  • 2,500 pcs$0.73167
Artikelnummer:
JANTX1N4150-1
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module and Leistungstreibermodule ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTX1N4150-1 elektronische Komponenten. JANTX1N4150-1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTX1N4150-1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N4150-1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : JANTX1N4150-1
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Serie : Military, MIL-PRF-19500/231
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 200mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : 4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100nA @ 50V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package : DO-35
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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