ON Semiconductor - 2N6667G

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Artikelnummer:
2N6667G
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2N6667G Produkteigenschaften

Artikelnummer : 2N6667G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : PNP - Darlington
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 10A
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 60V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 3V @ 100mA, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 1000 @ 5A, 3V
Leistung max : 2W
Frequenz - Übergang : -
Betriebstemperatur : -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-3
Supplier Device Package : TO-220AB

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