Taiwan Semiconductor Corporation - BZT52C6V8-G RHG

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Artikelnummer:
BZT52C6V8-G RHG
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE ZENER 6.8V 350MW SOD123. Zener Diodes Zener 350mW 5% 6V8
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BZT52C6V8-G RHG Produkteigenschaften

Artikelnummer : BZT52C6V8-G RHG
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE ZENER 6.8V 350MW SOD123
Serie : -
Teilestatus : Active
Spannung - Zener (Nom) (Vz) : 6.8V
Toleranz : ±5%
Leistung max : 350mW
Impedanz (max.) (Zzt) : 15 Ohms
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 2µA @ 4V
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 10mA
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOD-123
Supplier Device Package : SOD-123

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