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- Artikelnummer:
- S3JHE3/9AT
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
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S3JHE3/9AT Produkteigenschaften
Artikelnummer :
S3JHE3/9AT
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.15V @ 2.5A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
2.5µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-214AB, SMC
Supplier Device Package :
DO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
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