DF200R12PT4B6BOSA1 Preise (USD) [505Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DF200R12PT4B6BOSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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DF200R12PT4B6BOSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DF200R12PT4B6BOSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Aufbau :
Three Phase Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
300A
Leistung max :
1100W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
15µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
12.5nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
Yes
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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