Toshiba Semiconductor and Storage - CMH07(TE12L,Q,M)

KEY Part #: K6431855

CMH07(TE12L,Q,M) Preise (USD) [494560Stück Lager]

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Artikelnummer:
CMH07(TE12L,Q,M)
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT. Rectifiers Switching Diode HED 2A 200V 35ns
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - JFETs, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Single and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage CMH07(TE12L,Q,M) elektronische Komponenten. CMH07(TE12L,Q,M) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu CMH07(TE12L,Q,M) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CMH07(TE12L,Q,M) Produkteigenschaften

Artikelnummer : CMH07(TE12L,Q,M)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 980mV @ 2A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 100ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOD-128
Supplier Device Package : M-FLAT (2.4x3.8)
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 150°C

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