Toshiba Semiconductor and Storage - RN1109MFV,L3F

KEY Part #: K6527810

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    Artikelnummer:
    RN1109MFV,L3F
    Hersteller:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Detaillierte Beschreibung:
    TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Module and Thyristoren - SCRs - Module ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage RN1109MFV,L3F elektronische Komponenten. RN1109MFV,L3F kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RN1109MFV,L3F haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN1109MFV,L3F Produkteigenschaften

    Artikelnummer : RN1109MFV,L3F
    Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
    Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM
    Serie : -
    Teilestatus : Active
    Transistortyp : NPN - Pre-Biased
    Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
    Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
    Widerstand - Basis (R1) : 47 kOhms
    Widerstand - Emitterbasis (R2) : 22 kOhms
    Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 70 @ 10mA, 5V
    Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 5mA
    Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA
    Frequenz - Übergang : -
    Leistung max : 150mW
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : SOT-723
    Supplier Device Package : VESM