APT33GF120B2RDQ2G Preise (USD) [4845Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APT33GF120B2RDQ2G
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 64A 357W TMAX.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - JFETs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Thyristoren - Thyristoren ...
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APT33GF120B2RDQ2G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT33GF120B2RDQ2G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
64A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
75A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
3V @ 15V, 25A
Leistung max :
357W
Energie wechseln :
1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
170nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
14ns/185ns
Testbedingung :
800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3 Variant
Supplier Device Package :
-
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