FF650R17IE4DB2BOSA1 Preise (USD) [157Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FF650R17IE4DB2BOSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT MODULE VCES 1700V 650A.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
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FF650R17IE4DB2BOSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FF650R17IE4DB2BOSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT MODULE VCES 1700V 650A
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
2 Independent
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1700V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
-
Leistung max :
4150W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.45V @ 15V, 650A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
54nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
Yes
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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