BSM35GD120DLCE3224BOSA1 Preise (USD) [815Stück Lager]
- 1 pcs$56.97713
- Artikelnummer:
- BSM35GD120DLCE3224BOSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - spezieller Zweck ...
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BSM35GD120DLCE3224BOSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSM35GD120DLCE3224BOSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
Full Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
70A
Leistung max :
280W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.6V @ 15V, 35A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
80µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
2nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 125°C
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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