EFC6602R-TR Preise (USD) [4191Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- EFC6602R-TR
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH EFCP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - JFETs, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor EFC6602R-TR elektronische Komponenten. EFC6602R-TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu EFC6602R-TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
EFC6602R-TR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
EFC6602R-TR
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH EFCP
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
-
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
55nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-XFBGA, FCBGA
Supplier Device Package :
EFCP2718-6CE-020
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