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Toshiba Memory America, Inc. - TH58BYG2S3HBAI4

KEY Part #: K934690

TH58BYG2S3HBAI4 Preise (USD) [13416Stück Lager]

  • 1 pcs$3.41542
Artikelnummer:
TH58BYG2S3HBAI4
Hersteller:
Toshiba Memory America, Inc.
Detaillierte Beschreibung:
4G SLC NAND BGA 24NM. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Linear - Verstärker - Instrumentierung, Operations, PMIC - Power over Ethernet (PoE) -Controller, Logik - Latches, Schnittstelle - Sensor, kapazitive Berührung, Embedded - PLDs (Programmable Logic Device), PMIC - Hot-Swap-Controller, Logik - Paritätsgeneratoren und Prüfer and Schnittstelle - Treiber, Empfänger, Transceiver ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG2S3HBAI4 elektronische Komponenten. TH58BYG2S3HBAI4 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TH58BYG2S3HBAI4 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58BYG2S3HBAI4 Produkteigenschaften

Artikelnummer : TH58BYG2S3HBAI4
Hersteller : Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung : 4G SLC NAND BGA 24NM
Serie : Benand™
Teilestatus : Active
Speichertyp : Non-Volatile
Speicherformat : FLASH
Technologie : FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße : 4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : -
Speicherschnittstelle : -
Spannungsversorgung : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 63-VFBGA
Supplier Device Package : 63-TFBGA (9x11)

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