BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Preise (USD) [1020Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSM25GD120DN2E3224BOSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
Three Phase Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
35A
Leistung max :
200W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
3V @ 15V, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
800µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
1.65nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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