Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
Transistortyp :
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA, 500mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V, 12V
Widerstand - Basis (R1) :
10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
250MHz, 280MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package :
SOT-563