HGTP5N120BND Preise (USD) [56538Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- HGTP5N120BND
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 21A 167W TO220AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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HGTP5N120BND Produkteigenschaften
Artikelnummer :
HGTP5N120BND
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
IGBT-Typ :
NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
21A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
40A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 5A
Leistung max :
167W
Energie wechseln :
450µJ (on), 390µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
53nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
22ns/160ns
Testbedingung :
960V, 5A, 25 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
65ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-220-3
Supplier Device Package :
TO-220-3
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