Rohm Semiconductor - DTC623TUT106

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Artikelnummer:
DTC623TUT106
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DTC623TUT106 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DTC623TUT106
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 600mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 20V
Widerstand - Basis (R1) : 2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : -
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 820 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 150mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang : 150MHz
Leistung max : 200mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SC-70, SOT-323
Supplier Device Package : UMT3

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