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GeneSiC Semiconductor - MBR60040CTR

KEY Part #: K6470617

MBR60040CTR Preise (USD) [755Stück Lager]

  • 1 pcs$55.68143
  • 10 pcs$52.20103
Artikelnummer:
MBR60040CTR
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Leistungstreibermodule ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MBR60040CTR elektronische Komponenten. MBR60040CTR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MBR60040CTR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR60040CTR Produkteigenschaften

Artikelnummer : MBR60040CTR
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Anode
Diodentyp : Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 40V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 300A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 750mV @ 300A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1mA @ 20V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Twin Tower
Supplier Device Package : Twin Tower
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