Vishay Semiconductor Diodes Division - 10ETF12S

KEY Part #: K6447415

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    Artikelnummer:
    10ETF12S
    Hersteller:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division 10ETF12S elektronische Komponenten. 10ETF12S kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 10ETF12S haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    10ETF12S Produkteigenschaften

    Artikelnummer : 10ETF12S
    Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 10A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.33V @ 10A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 310ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 1200V
    Kapazität @ Vr, F : -
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Supplier Device Package : TO-263AB (D²PAK)
    Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 150°C

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