Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 100A HALFPAK
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
100A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.35V @ 100A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
90ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
50µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F :
275pF @ 10V, 1Mhz
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
HALF-PAK
Betriebstemperatur - Übergang :
-