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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS45S16320F-7TLA2-TR

KEY Part #: K918277

IS45S16320F-7TLA2-TR Preise (USD) [6449Stück Lager]

  • 1 pcs$8.29854
  • 1,500 pcs$8.25726
Artikelnummer:
IS45S16320F-7TLA2-TR
Hersteller:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP. DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Datenerfassung - Digital / Analog-Wandler (DAC), PMIC - V / F- und F / V-Wandler, Speicher - Konfigurationsproms für FPGAs, Clock / Timing - Taktgeneratoren, PLLs, Frequenzsy, Logik - Zähler, Teiler, Schnittstelle - Analogschalter, Multiplexer, Demul, Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) and Logik - FIFOs Speicher ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7TLA2-TR elektronische Komponenten. IS45S16320F-7TLA2-TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IS45S16320F-7TLA2-TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS45S16320F-7TLA2-TR Produkteigenschaften

Artikelnummer : IS45S16320F-7TLA2-TR
Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM
Speichergröße : 512Mb (32M x 16)
Taktfrequenz : 143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : 5.4ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 105°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Supplier Device Package : 54-TSOP II

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