Artikelnummer :
HIP6601BECB
Hersteller :
Renesas Electronics America Inc.
Beschreibung :
IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC
Angetriebene Konfiguration :
Half-Bridge
Gate-Typ :
N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung :
10.8V ~ 13.2V
Logikspannung - VIL, VIH :
-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) :
-
Eingabetyp :
Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) :
15V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) :
20ns, 20ns
Betriebstemperatur :
0°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Supplier Device Package :
8-SOIC-EP