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Microsemi Corporation - JANTX1N6626US

KEY Part #: K6441019

JANTX1N6626US Preise (USD) [3660Stück Lager]

  • 1 pcs$11.83268
  • 10 pcs$10.94593
  • 25 pcs$10.05861
  • 100 pcs$9.34856
  • 250 pcs$8.57937
Artikelnummer:
JANTX1N6626US
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 200V 1.75A D5B.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTX1N6626US elektronische Komponenten. JANTX1N6626US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTX1N6626US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N6626US Produkteigenschaften

Artikelnummer : JANTX1N6626US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 1.75A D5B
Serie : Military, MIL-PRF-19500/578
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1.75A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.35V @ 2A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 45ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 2µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, E
Supplier Device Package : D-5B
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 150°C

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