ON Semiconductor - NGTD13R120F2WP

KEY Part #: K6441415

NGTD13R120F2WP Preise (USD) [94150Stück Lager]

  • 1 pcs$0.41530
  • 682 pcs$0.34717

Artikelnummer:
NGTD13R120F2WP
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - JFETs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NGTD13R120F2WP elektronische Komponenten. NGTD13R120F2WP kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NGTD13R120F2WP haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NGTD13R120F2WP Produkteigenschaften

Artikelnummer : NGTD13R120F2WP
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : -
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2.6V @ 25A
Geschwindigkeit : -
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Die
Betriebstemperatur - Übergang : 175°C (Max)

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