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- Artikelnummer:
- MT47H512M4THN-3:E TR
- Hersteller:
- Micron Technology Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: PMIC - Spannungsregler - Spezialanwendungen, Erinnerung, Linear - Verstärker - Instrumentierung, Operations, Schnittstelle - Signalpuffer, Repeater, Splitter, Logik - Universalbus-Funktionen, Schnittstelle - Sprachaufzeichnung und Wiedergabe, Clock / Timing - Verzögerungszeilen and Embedded - PLDs (Programmable Logic Device) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-3:E TR elektronische Komponenten. MT47H512M4THN-3:E TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MT47H512M4THN-3:E TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
MT47H512M4THN-3:E TR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
MT47H512M4THN-3:E TR
Hersteller :
Micron Technology Inc.
Beschreibung :
IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
DRAM
Technologie :
SDRAM - DDR2
Speichergröße :
2Gb (512M x 4)
Taktfrequenz :
333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
15ns
Zugriffszeit :
450ps
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur :
0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
63-FBGA
Supplier Device Package :
63-FBGA (9x11.5)
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