Alliance Memory, Inc. - AS4C64M8D2-25BINTR

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Artikelnummer:
AS4C64M8D2-25BINTR
Hersteller:
Alliance Memory, Inc.
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA. DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64M x 8 DDR2
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: PMIC - Spannungsregler - Linear, Schnittstelle - CODECs, Speicher - Batterien, Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array), PMIC - Spannungsregler - Spezialanwendungen, Linear - Verstärker - Instrumentierung, Operations, Embedded - System On Chip (SoC) and PMIC - Lasertreiber ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D2-25BINTR elektronische Komponenten. AS4C64M8D2-25BINTR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu AS4C64M8D2-25BINTR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C64M8D2-25BINTR Produkteigenschaften

Artikelnummer : AS4C64M8D2-25BINTR
Hersteller : Alliance Memory, Inc.
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR2
Speichergröße : 512Mb (64M x 8)
Taktfrequenz : 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 400ps
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 60-TFBGA
Supplier Device Package : 60-FBGA (8x10)

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