APT50GN120L2DQ2G Preise (USD) [4911Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APT50GN120L2DQ2G
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 134A 543W TO264.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Thyristoren - Thyristoren ...
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APT50GN120L2DQ2G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT50GN120L2DQ2G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
IGBT 1200V 134A 543W TO264
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
NPT, Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
134A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
150A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 50A
Leistung max :
543W
Energie wechseln :
4495µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
315nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
28ns/320ns
Testbedingung :
800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-264-3, TO-264AA
Supplier Device Package :
-
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