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GeneSiC Semiconductor - MURT10040R

KEY Part #: K6468952

MURT10040R Preise (USD) [1067Stück Lager]

  • 1 pcs$40.55691
  • 50 pcs$27.12140
Artikelnummer:
MURT10040R
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A400P/283R
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - IGBTs - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MURT10040R elektronische Komponenten. MURT10040R kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MURT10040R haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURT10040R Produkteigenschaften

Artikelnummer : MURT10040R
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : -
Diodentyp : Standard, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 400V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 100A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.35V @ 50A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 90ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 25µA @ 50V
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 175°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Three Tower
Supplier Device Package : Three Tower
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