IDT, Integrated Device Technology Inc - 70T3399S133BFI

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Artikelnummer:
70T3399S133BFI
Hersteller:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Detaillierte Beschreibung:
IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA. SRAM 128K X 18 DP
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

70T3399S133BFI Produkteigenschaften

Artikelnummer : 70T3399S133BFI
Hersteller : IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung : IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : SRAM
Technologie : SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße : 2Mb (128K x 18)
Taktfrequenz : 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : 4.2ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 208-LFBGA
Supplier Device Package : 208-CABGA (15x15)