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WeEn Semiconductors - BYV430J-600PQ

KEY Part #: K6475474

[6088Stück Lager]

    Artikelnummer:
    BYV430J-600PQ
    Hersteller:
    WeEn Semiconductors
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P. Rectifiers BYV430J-600PQ/TO3PF/STANDARD M
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Dioden - RF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf WeEn Semiconductors BYV430J-600PQ elektronische Komponenten. BYV430J-600PQ kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BYV430J-600PQ haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BYV430J-600PQ Produkteigenschaften

    Artikelnummer : BYV430J-600PQ
    Hersteller : WeEn Semiconductors
    Beschreibung : DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
    Serie : -
    Teilestatus : Active
    Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Cathode
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 30A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2V @ 30A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 90ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
    Betriebstemperatur - Übergang : 175°C (Max)
    Befestigungsart : Through Hole
    Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3
    Supplier Device Package : TO-3P
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