BSO080P03NS3EGXUMA1 Preise (USD) [220828Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSO080P03NS3EGXUMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - RF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - JFETs, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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BSO080P03NS3EGXUMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSO080P03NS3EGXUMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 14.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.1V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
81nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6750pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-DSO-8
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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