Alliance Memory, Inc. - AS4C32M16D2A-25BCN

KEY Part #: K940032

AS4C32M16D2A-25BCN Preise (USD) [27877Stück Lager]

  • 1 pcs$1.64381
  • 10 pcs$1.49265
  • 25 pcs$1.46013
  • 50 pcs$1.45193
  • 100 pcs$1.30214
  • 250 pcs$1.29728
  • 500 pcs$1.24950
  • 1,000 pcs$1.18796

Artikelnummer:
AS4C32M16D2A-25BCN
Hersteller:
Alliance Memory, Inc.
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA. DRAM
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Logik - Latches, Clock / Timing - Programmierbare Timer und Oszilla, Linear - Videoverarbeitung, Schnittstelle - UARTs (Universal Asynchronous Rece, Speicher - Batterien, Schnittstelle - Encoder, Decoder, Konverter, Schnittstelle - Module and Datenerfassung - Touchscreen-Controller ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2A-25BCN elektronische Komponenten. AS4C32M16D2A-25BCN kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu AS4C32M16D2A-25BCN haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C32M16D2A-25BCN Produkteigenschaften

Artikelnummer : AS4C32M16D2A-25BCN
Hersteller : Alliance Memory, Inc.
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR2
Speichergröße : 512Mb (32M x 16)
Taktfrequenz : 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 400ps
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 84-TFBGA
Supplier Device Package : 84-FBGA (8x12.5)

Sie könnten auch interessiert sein an
  • AT28HC64B-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • 6116LA25SOGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • 6116LA20SOGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • 6116SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • W25M512JVFIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • MD56V62160M-7TAZ0AX

    Rohm Semiconductor

    IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP.