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- Artikelnummer:
- HGTD3N60C3S9A
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 600V 6A 33W TO252AA.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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HGTD3N60C3S9A Produkteigenschaften
Artikelnummer :
HGTD3N60C3S9A
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 600V 6A 33W TO252AA
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
IGBT-Typ :
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
6A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
24A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 3A
Leistung max :
33W
Energie wechseln :
85µJ (on), 245µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
10.8nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
-
Testbedingung :
480V, 3A, 82 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package :
TO-252AA
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