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Toshiba Memory America, Inc. - TC58NYG1S3HBAI4

KEY Part #: K938203

TC58NYG1S3HBAI4 Preise (USD) [19544Stück Lager]

  • 1 pcs$2.34452
Artikelnummer:
TC58NYG1S3HBAI4
Hersteller:
Toshiba Memory America, Inc.
Detaillierte Beschreibung:
2G NAND SLC 24NM BGA. NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Embedded - System On Chip (SoC), PMIC - ODER - Controller, ideale Dioden, Schnittstelle - Filter - Aktiv, Schnittstelle - Analogschalter - Spezialzweck, Logik - Gates und Inverter - Multifunktional, konf, Logik - Multivibratoren, Logik - Signalschalter, Multiplexer, Decoder and Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) m ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Toshiba Memory America, Inc. TC58NYG1S3HBAI4 elektronische Komponenten. TC58NYG1S3HBAI4 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TC58NYG1S3HBAI4 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NYG1S3HBAI4 Produkteigenschaften

Artikelnummer : TC58NYG1S3HBAI4
Hersteller : Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung : 2G NAND SLC 24NM BGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Non-Volatile
Speicherformat : FLASH
Technologie : FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße : 2Gb (256M x 8)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 25ns
Zugriffszeit : -
Speicherschnittstelle : -
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 63-VFBGA
Supplier Device Package : 63-TFBGA (9x11)

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