Toshiba Semiconductor and Storage - HN3C51F-GR(TE85L,F

KEY Part #: K6392126

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    Artikelnummer:
    HN3C51F-GR(TE85L,F
    Hersteller:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Detaillierte Beschreibung:
    TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - IGBTs - Module ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-GR(TE85L,F elektronische Komponenten. HN3C51F-GR(TE85L,F kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu HN3C51F-GR(TE85L,F haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HN3C51F-GR(TE85L,F Produkteigenschaften

    Artikelnummer : HN3C51F-GR(TE85L,F
    Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
    Beschreibung : TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Transistortyp : 2 NPN (Dual)
    Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
    Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 120V
    Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 1mA, 10mA
    Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100nA (ICBO)
    Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 200 @ 2mA, 6V
    Leistung max : 300mW
    Frequenz - Übergang : 100MHz
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : SC-74, SOT-457
    Supplier Device Package : SM6

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