FGD3N60UNDF Preise (USD) [244691Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FGD3N60UNDF
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 600V 6A 60W DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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FGD3N60UNDF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FGD3N60UNDF
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 600V 6A 60W DPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
6A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
9A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.52V @ 15V, 3A
Leistung max :
60W
Energie wechseln :
52µJ (on), 30µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
1.6nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
5.5ns/22ns
Testbedingung :
400V, 3A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
21ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package :
TO-252, (D-Pak)
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