Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-1EFH02HM3/I

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Artikelnummer:
VS-1EFH02HM3/I
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers Hypfst Rct 1A 200V
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-1EFH02HM3/I Produkteigenschaften

Artikelnummer : VS-1EFH02HM3/I
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
Serie : Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 930mV @ 1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 25ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 2µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-219AB
Supplier Device Package : DO-219AB (SMF)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C

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