APT100GT120JRDQ4 Preise (USD) [1780Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APT100GT120JRDQ4
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 123A 570W SOT227.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - JFETs ...
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APT100GT120JRDQ4 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT100GT120JRDQ4
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
IGBT 1200V 123A 570W SOT227
Serie :
Thunderbolt IGBT®
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
NPT
Aufbau :
Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
123A
Leistung max :
570W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
3.7V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
200µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
7.85nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
ISOTOP
Supplier Device Package :
ISOTOP®
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