Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8ETH06-N3

KEY Part #: K6442725

VS-8ETH06-N3 Preise (USD) [3035Stück Lager]

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Artikelnummer:
VS-8ETH06-N3
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Leistungstreibermodule, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - spezieller Zweck ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-8ETH06-N3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : VS-8ETH06-N3
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Serie : FRED Pt®
Teilestatus : Obsolete
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2.4V @ 8A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 25ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 50µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-2
Supplier Device Package : TO-220AC
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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