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- Artikelnummer:
- HGT1S10N120BNST
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 35A 298W TO263AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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HGT1S10N120BNST Produkteigenschaften
Artikelnummer :
HGT1S10N120BNST
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
35A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
80A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 10A
Leistung max :
298W
Energie wechseln :
320µJ (on), 800µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
23ns/165ns
Testbedingung :
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
TO-263AB
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