1N8026-GA Preise (USD) [448Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- 1N8026-GA
- Hersteller:
- GeneSiC Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - JFETs and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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1N8026-GA Produkteigenschaften
Artikelnummer :
1N8026-GA
Hersteller :
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung :
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Diodentyp :
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
8A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.6V @ 2.5A
Geschwindigkeit :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
10µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F :
237pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-257-3
Supplier Device Package :
TO-257
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 250°C
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