Artikelnummer :
2EDS8265HXUMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Angetriebene Konfiguration :
Half-Bridge
Gate-Typ :
N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannungsversorgung :
3V ~ 3.5V
Logikspannung - VIL, VIH :
1.2V, 2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) :
4A, 8A
Eingabetyp :
Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) :
-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) :
6.5ns, 4.5ns
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Supplier Device Package :
PG-DSO-16-30