Infineon Technologies - BAT1705WH6327XTSA1

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Artikelnummer:
BAT1705WH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3. Schottky Diodes & Rectifiers RF DIODE
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - Brückengleichrichter ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAT1705WH6327XTSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BAT1705WH6327XTSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Schottky - 1 Pair Common Cathode
Spannung - Peak Reverse (Max) : 4V
Strom - max : 130mA
Kapazität @ Vr, F : 0.75pF @ 0V, 1MHz
Widerstand @ If, F : 15 Ohm @ 5mA, 10kHz
Verlustleistung (max.) : 150mW
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Paket / fall : SC-70, SOT-323
Supplier Device Package : PG-SOT323-3

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