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Microsemi Corporation - JANTXV1N5550US

KEY Part #: K6432858

JANTXV1N5550US Preise (USD) [4931Stück Lager]

  • 1 pcs$8.82883
  • 100 pcs$8.78491
Artikelnummer:
JANTXV1N5550US
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 200V 5A D5B. ESD Suppressors / TVS Diodes MIL, QPL PART, 3A 200V STANDARD RECT - SQ END CAPS
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module and Dioden - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTXV1N5550US elektronische Komponenten. JANTXV1N5550US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTXV1N5550US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5550US Produkteigenschaften

Artikelnummer : JANTXV1N5550US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 5A D5B
Serie : Military, MIL-PRF-19500/420
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 9A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 2µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, B
Supplier Device Package : D-5B
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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