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Microsemi Corporation - APT50GS60BRDQ2G

KEY Part #: K6423440

APT50GS60BRDQ2G Preise (USD) [7917Stück Lager]

  • 1 pcs$5.20467
  • 10 pcs$4.68332
  • 25 pcs$4.26703
  • 100 pcs$3.85075
  • 250 pcs$3.53850
  • 500 pcs$3.22629
Artikelnummer:
APT50GS60BRDQ2G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 600V 93A 415W TO247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT50GS60BRDQ2G elektronische Komponenten. APT50GS60BRDQ2G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT50GS60BRDQ2G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50GS60BRDQ2G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT50GS60BRDQ2G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 600V 93A 415W TO247
Serie : Thunderbolt IGBT®
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 93A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 195A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3.15V @ 15V, 50A
Leistung max : 415W
Energie wechseln : 755µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 235nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 16ns/225ns
Testbedingung : 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 25ns
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247 [B]

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