STGWT80H65DFB Preise (USD) [12469Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- STGWT80H65DFB
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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STGWT80H65DFB Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STGWT80H65DFB
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
120A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
240A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 80A
Leistung max :
469W
Energie wechseln :
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
414nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
84ns/280ns
Testbedingung :
400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
85ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package :
TO-3P
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