A2G35S200-01SR3 Preise (USD) [756Stück Lager]
- 1 pcs$61.37230
- Artikelnummer:
- A2G35S200-01SR3
- Hersteller:
- NXP USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - RF and Transistoren - IGBTs - Module ...
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A2G35S200-01SR3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
A2G35S200-01SR3
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
LDMOS
Frequenz :
3.4GHz ~ 3.6GHz
Gewinnen :
16.1dB
Spannungs - Test :
48V
Aktuelle Bewertung :
-
Rauschzahl :
-
Aktueller Test :
291mA
Leistung :
180W
Spannung - bewertet :
125V
Paket / fall :
NI-400S-2S
Supplier Device Package :
NI-400S-2S
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