Toshiba Memory America, Inc. - TH58NYG3S0HBAI4

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TH58NYG3S0HBAI4 Preise (USD) [10841Stück Lager]

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Artikelnummer:
TH58NYG3S0HBAI4
Hersteller:
Toshiba Memory America, Inc.
Detaillierte Beschreibung:
8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V. NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Embedded - PLDs (Programmable Logic Device), Datenerfassung - ADCs / DACs - besonderer Zweck, PMIC - Ladegeräte, PMIC - Power over Ethernet (PoE) -Controller, Speicher - Konfigurationsproms für FPGAs, Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) m, PMIC - AC DC Converter, Offline-Umschalter and Embedded - DSP (digitale Signalprozessoren) ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58NYG3S0HBAI4 Produkteigenschaften

Artikelnummer : TH58NYG3S0HBAI4
Hersteller : Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung : 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Non-Volatile
Speicherformat : FLASH
Technologie : FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße : 8Gb (1G x 8)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 25ns
Zugriffszeit : 25ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 63-VFBGA
Supplier Device Package : 63-TFBGA (9x11)

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