BCR162E6327HTSA1 Preise (USD) [3612259Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BCR162E6327HTSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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BCR162E6327HTSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BCR162E6327HTSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Serie :
-
Teilestatus :
Last Time Buy
Transistortyp :
PNP - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
20 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang :
200MHz
Leistung max :
200mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package :
SOT-23-3
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