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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S16160D-75ETL-TR

KEY Part #: K921313

[5785Stück Lager]

    Artikelnummer:
    IS42S16160D-75ETL-TR
    Hersteller:
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    Detaillierte Beschreibung:
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: PMIC - Anzeigetreiber, PMIC - Energieverwaltung - spezialisiert, PMIC - Spannungsregler - DC DC-Schaltregler, PMIC - Power over Ethernet (PoE) -Controller, PMIC - Batteriemanagement, Schnittstelle - Serialisierer, Deserialisierer, Schnittstelle - Analogschalter - Spezialzweck and PMIC - PFC (Power Factor Correction) ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-75ETL-TR elektronische Komponenten. IS42S16160D-75ETL-TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IS42S16160D-75ETL-TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IS42S16160D-75ETL-TR Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IS42S16160D-75ETL-TR
    Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    Beschreibung : IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Speichertyp : Volatile
    Speicherformat : DRAM
    Technologie : SDRAM
    Speichergröße : 256Mb (16M x 16)
    Taktfrequenz : 133MHz
    Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
    Zugriffszeit : 5.5ns
    Speicherschnittstelle : Parallel
    Spannungsversorgung : 3V ~ 3.6V
    Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TA)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
    Supplier Device Package : 54-TSOP II

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