Microsemi Corporation - APT30GN60BDQ2G

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Artikelnummer:
APT30GN60BDQ2G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 600V 63A 203W TO247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT30GN60BDQ2G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT30GN60BDQ2G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 600V 63A 203W TO247
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 63A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 90A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 30A
Leistung max : 203W
Energie wechseln : 525µJ (on), 700µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 165nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 12ns/155ns
Testbedingung : 400V, 30A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247 [B]

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